MD33N25, 250V 33A 198W 110m-@10V,16.5A 4V@250uA 21pF@25V N Channel 5600pF@25V 40nC@10V +150-@(Tj) TO-220 MOSFETs
Описание
250V 33A 198W 110mΩ@10V,16.5A 4V@250uA N Channel TO-220 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 33A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@10V, 16.5A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 250V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.6nF@25V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 198W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 21pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 40nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 6.97 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 3171 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг