AP15P03Q, 30V 12A 20m-@10V,9A 900mW 2.5V@250uA P Channel PDFN-8(3x3.2) MOSFETs
6925 шт., срок 7 недель
294 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
209 ֏
от 150 шт. —
192 ֏
от 500 шт. —
176 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 470 ֏
Номенклатурный номер: 8015886575
Описание
30V 12A 20mΩ@10V,9A 900mW 2.5V@250uA P Channel PDFN-8(3x3.2) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V, 9A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 900mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | P Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 30A(Tc) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 900mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20mΩ 9A, 10V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V 250uA |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 635 КБ
Datasheet AP15P03Q
pdf, 1544 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
