SI1967DH-T1-GE3-VB, 20V 1.8A 155m-@4.5V,2.5A 1.4W 1.5V@250uA 33pF@15V 2 P-Channel 210pF@15V 2.7nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SC-70-6 MOSFETs
1 шт., срок 7-8 недель
258 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 258 ֏
Описание
20V 1.8A 155mΩ@4.5V,2.5A 1.4W 1.5V@250uA P Channel SC-70-6 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 1.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 155mΩ@4.5V, 2.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 210pF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.4W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 33pF@15V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 2.7nC@4.5V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 247 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
