MMBT5551, 50nA 160V 300mW 100@10mA,5V 600mA 100MHz 200mV@50mA,5mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
16850 шт., срок 6 недель
27 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
14 ֏
от 3000 шт. —
11 ֏
от 6000 шт. —
10 ֏
50 шт.
на сумму 1 350 ֏
Номенклатурный номер: 8015900879
Бренд: Jingdao Microelectronics
Описание
160V 300mW 100@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 5V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1978 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
