PJM10H03NSC, 100V 3A 160m-@10V,3A 1.5W 2V@250uA N Channel SOT-23-3 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
12830 шт., срок 5-6 недель
119 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
71 ֏
от 300 шт. —
62 ֏
от 3000 шт. —
42 ֏
10 шт.
на сумму 1 190 ֏
Номенклатурный номер: 8015901933
Бренд: PJSEMI
Описание
100V 3A 160mΩ@10V,3A 1.5W 2V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 3A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@10V, 3A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 650pF@50V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 20pF@30V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 9045 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг