SVF2N60RDTR, 600V 2A 3.7-@10V,1A 34W 4V@250uA 2.7pF@25V N Channel 250pF@25V 8.92nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs
70 шт., срок 7-8 недель
329 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
249 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 645 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015904602
Бренд: Silan Microelectronics
Описание
600V 2A 3.7Ω@10V,1A 34W 4V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.7Ω@10V, 1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 250pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 34W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.7pF@25V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 8.92nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet SVF2N60RMJ
pdf, 614 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
