AGM30P10AP, 30V 23A 11mOhm@-10V,-20A 37W 2.1V@250uA P Channel 22nC@-10V -55°C~+150°C@(Tj) DFN(3.3x3.3) MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
860 шт., срок 5-6 недель
172 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
124 ֏
от 150 шт. —
110 ֏
от 500 шт. —
97 ֏
5 шт.
на сумму 860 ֏
Номенклатурный номер: 8015905451
Бренд: AGM-Semi
Описание
30V 23A 11mΩ@-10V,-20A 37W 2.1V@250uA P Channel DFN(3.3x3.3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 23A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@-10V, -20A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 37W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@-10V |
Type | P Channel |
Вес, г | 0.07 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1114 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг