SI2305CDS-T1-GE3-VB, 20V 5A 35m-@10V,5.1A 2.5W 1.5V@250uA 155pF@10V P Channel 835pF@10V 6.4nC@2.5V -55-~+150-@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs
1390 шт., срок 7-8 недель
120 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
72 ֏
от 300 шт. —
63 ֏
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 1 200 ֏
Описание
20V 5A 35mΩ@10V,5.1A 2.5W 1.5V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V, 5.1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 835pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 155pF@10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.4nC@2.5V |
| Type | P Channel |
| Manufacturer | VBsemi Elec |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Вес, г | 0.06 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
