BLM3407, 30V 4.1A 65m-@10V,4.1A 1.4W 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs
2730 шт., срок 5-6 недель
75 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
49 ֏
от 300 шт. —
37 ֏
10 шт.
на сумму 750 ֏
Номенклатурный номер: 8015923704
Бренд: Shanghai Belling Corp., Ltd
Описание
30V 4.1A 65mΩ@10V,4.1A 1.4W 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4.3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V, 4.1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 700pF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 75pF@15V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 14nC@10V |
| Type | P Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.1A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.4W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 65mО© @ 4.1A,10V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet BLM3407
pdf, 215 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
