MS18N100HGC0, 1000V 18A TO-247 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
85 шт., срок 8 недель
6 900 ֏
от 10 шт. —
5 600 ֏
от 30 шт. —
4 710 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 900 ֏
Описание
1kV 18A 470W 550mΩ@10V,9A 4V@250μA null TO-247 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 18A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@10V, 9A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 1kV |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250μA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.85nF |
Operating Temperature | -55℃~+175℃ |
Power Dissipation (Pd) | 470W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 30pF |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 66.64nC |
Type | null |
Вес, г | 7.68 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг