AP4616, 1PCSN-Channel& 1PCSP-Channel -55-~+150-@(Tj) SO-8 MOSFETs
3045 шт., срок 5-6 недель
260 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
181 ֏
от 150 шт. —
163 ֏
от 500 шт. —
143 ֏
5 шт.
на сумму 1 300 ֏
Номенклатурный номер: 8015931058
Описание
NChannel+PChannel SO-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | NChannel+PChannel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 9.8A,7.6A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 13.5mО© @ 9A,10V;21mО© @ 7A,10V |
| Transistor Polarity | N & P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet AP4616
pdf, 3388 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
