BFS17NTA, RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3
![Фото 1/2 BFS17NTA, RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC021131569.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
273 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
225 ֏
от 250 шт. —
198 ֏
от 500 шт. —
172 ֏
10 шт.
на сумму 2 730 ֏
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 11В |
Continuous Collector Current | 50мА |
DC Current Gain hFE Min | 56hFE |
DC Ток Коллектора | 50мА |
DC Усиление Тока hFE | 56hFE |
Power Dissipation | 310мВт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Корпус РЧ Транзистора | SOT-23 |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 11В |
Полярность Транзистора | NPN |
Рассеиваемая Мощность | 310мВт |
Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Частота Перехода ft | 3.2ГГц |
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 11 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 50 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 56 at 5 mA, 10 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 3 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Operating Frequency: | 3.2 GHz |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 310 mW |
Product Category: | RF Bipolar Transistors |
Product Type: | RF Bipolar Transistors |
Series: | BFS17 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Transistor Type: | Bipolar |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 145 КБ