SI4800BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 7А, 2,5Вт, SO8
![Фото 1/2 SI4800BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 7А, 2,5Вт, SO8](https://static.chipdip.ru/lib/748/DOC043748619.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/545/DOC034545339.jpg)
484 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
410 ֏
5 шт.
на сумму 2 420 ֏
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 7А, 2,5Вт, SO8 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Вид | MOSFET |
Тип | полевой |
Case | SO8 |
Drain current | 7A |
Drain-source voltage | 30V |
Gate charge | 13nC |
Gate-source voltage | ±25V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | VISHAY |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 30mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 2.5W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 0.189 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 247 КБ