2N5088, Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 50мА; 625мВт; TO92
![Фото 1/2 2N5088, Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 50мА; 625мВт; TO92](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735658.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/799/DOC030799013.jpg)
9 шт. с центрального склада, срок 9-11 дней
970 ֏
660 ֏
1 шт.
на сумму 660 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8020014553
Бренд: Central Semiconductor Corp
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 50мА; 625мВт; TO92
Технические параметры
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 100ВµA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 50MHz |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Bulk |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Power - Max | 625mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-92 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1mA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Brand: | Central Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO: | 35 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 30 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 50 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 300 |
DC Current Gain hFE Max: | 900 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 4.5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gain Bandwidth Product fT: | 50 MHz |
Manufacturer: | Central Semiconductor |
Maximum DC Collector Current: | 50 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-92 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 688 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 1 августа1 | бесплатно |
HayPost | 5 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг