FF900R12IP4BOSA2 IGBT Module, 900 A 1200 V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
779 000 ֏
Кратность заказа 3 шт.
3 шт.
на сумму 2 337 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, high power converters, motor drives, traction drives, ups systems, wind turbines etc.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 900 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 5.1 kW |
| Number of Transistors | 2 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1718 КБ
