120V 3A, Schottky Diode, 2-Pin DO-219AB V3FM12HM3/H
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
119 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 357 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Schottky Diodes & Rectifiers
Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers Trench MOS Schottky technology Low profile package
Технические параметры
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | Schottky Barrier |
| Diode Type | Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 3A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DO-219AB |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 60A |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 120V |
| Pin Count | 2 |
| Rectifier Type | Schottky Rectifier |
| Base Product Number | V3FM12 -> |
| Capacitance @ Vr, F | 220pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100ВµA @ 120V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Operating Temperature - Junction | -40В°C ~ 175В°C |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | DO-219AB |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | Automotive, AEC-Q101, eSMPВ®, TMBSВ® -> |
| Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 940mV @ 3A |
| Average Forward Current | 3А |
| Forward Surge Current | 60А |
| Forward Voltage Max | 940мВ |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 120В |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TMBS® SMF |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Стиль Корпуса Диода | DO-219AB |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 123 КБ
Datasheet V3FM12HM3/H
pdf, 123 КБ
Datasheet V3FM12HM3/H
pdf, 101 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
