Dual N-Channel MOSFET, 335 A, 25 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRA20BDP-T1-GE3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 580 ֏

Кратность заказа 5 шт.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 12 900 ֏

Номенклатурный номер: 8016277036

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

The Vishay TrenchFET N-channel is 25 V MOSFET. 100 % Rg and UIS tested

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	335 A
Maximum Drain Source Resistance	0.00058 Ω
Maximum Drain Source Voltage	25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.1V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	PowerPAK SO-8
Pin Count	8
Series	TrenchFET
Transistor Material	Si
Drain Source On State Resistance	480мкОм
Power Dissipation	104Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Gen IV
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	25В
Непрерывный Ток Стока	335А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.1В
Рассеиваемая Мощность	104Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	480мкОм
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK SO
Вес, г	1