DMP3056L-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -3,4А, 1,38Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
249 ֏
от 10 шт. —
160 ֏
1 шт.
на сумму 249 ֏
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -3,4А, 1,38Вт, SOT23
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4.3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V, 6A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 642pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.38W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11.8nC@10V |
| Type | P Channel |
| Case | SOT23 |
| Drain current | -3.4A |
| Drain-source voltage | -30V |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 70mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.38W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 1.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 501 КБ
