Dual N-Channel MOSFET, 258 A, 30 V, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF928DT-T1-GE3
![Фото 1/2 Dual N-Channel MOSFET, 258 A, 30 V, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF928DT-T1-GE3](https://static.chipdip.ru/lib/967/DOC022967556.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/716/DOC004716901.jpg)
940 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 2 820 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay Dual N-Channel 30 V MOSFET. 100 % Rg and UIS tested
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 258 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.00245 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | PowerPAIR 6x5F |
Pin Count | 8 |
Series | TrenchFET |
Transistor Material | Si |
Drain Source On State Resistance N Channel | 530мкОм |
Drain Source On State Resistance P Channel | 530мкОм |
Power Dissipation N Channel | 74Вт |
Power Dissipation P Channel | 74Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 248А |
Непрерывный Ток Стока, N Канал | 248А |
Непрерывный Ток Стока, P Канал | 248А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 74Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 530мкОм |
Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAIR |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 247 КБ