Dual N-Channel MOSFET, 258 A, 30 V, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF928DT-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 450 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 12 250 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay Dual N-Channel 30 V MOSFET. 100 % Rg and UIS tested
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 258 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00245 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | PowerPAIR 6x5F |
| Pin Count | 8 |
| Series | TrenchFET |
| Transistor Material | Si |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 530мкОм |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 530мкОм |
| Power Dissipation N Channel | 74Вт |
| Power Dissipation P Channel | 74Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 248А |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 248А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 248А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 74Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 530мкОм |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAIR |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 247 КБ
