IKW75N65EH5XKSA1 IGBT, 90 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 200 ֏
Кратность заказа 30 шт.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 216 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with high speed H5 technology. High Efficiency Low Switching Losses
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 90 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
| Maximum Power Dissipation | 395 W |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 90(A) |
| Collector-Emitter Voltage | 650(V) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Packaging | Rail/Tube |
| Rad Hardened | No |
Техническая документация
Datasheet IKW75N65EH5XKSA1
pdf, 1975 КБ
Datasheet IKW75N65EH5XKSA1
pdf, 1964 КБ
Datasheet IKW75N65EH5 (Infineon)
pdf, 1908 КБ
