N-Channel MOSFET, 24.7 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SiS890ADN-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 290 ֏
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 12 900 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay N-Channel 100-V (D-S) MOSFET. 100 % Rg and UIS tested
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 24.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0255 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | TrenchFET |
| Transistor Material | Si |
| Drain Source On State Resistance | 0.021Ом |
| Power Dissipation | 39Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 24.7А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 39Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.021Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 276 КБ
