N-Channel MOSFET, 233 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8L SQJQ150E-T1_GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 470 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 17 350 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay SQJQ is automotive N-Channel MOSFET which operates at 40 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 233 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerPAK 8x8L |
| Pin Count | 4 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0015Ом |
| Power Dissipation | 187Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 233А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Рассеиваемая Мощность | 187Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0015Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 279 КБ
