N-Channel MOSFET, 1.15 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 SI2328DS-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
365 ֏
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 3 650 ֏
Посмотреть аналоги1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.15 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.4 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.45 nC @ 10 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 1 |
