P-Channel MOSFET, 7.6 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2369DS-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 14 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 29mohm at a gate-source voltage of 10V.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.04 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Series | TrenchFET |
| Drain Source On State Resistance | 0.024Ом |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 7.6А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.024Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Вес, г | 1 |
