SI4850EY-T1-E3, 60V 6A 22m ё@6A,10V 1.7W 3V@250uA N Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 030 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
850 ֏
от 150 шт. —
790 ֏
от 500 шт. —
760 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 5 150 ֏
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Drain current | 8.5A |
| Drain-source voltage | 60V |
| Gate charge | 27nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 47mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 3.3W |
| Pulsed drain current | 40A |
| Technology | TrenchFET® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.26 |
Техническая документация
SI4850EY
pdf, 248 КБ
