2ED2108S06FXUMA1, -414.2 mA, 650V 8-Pin, DSO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 870 ֏
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 740 ֏
Описание
Semiconductors\Power Management ICs\Gate Drivers
The Infineon 650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode has unique Infineon Thin-Film-Silicon on Insulator (SOI)-Technology and Interlocking function with internal 540 ns dead time and programmable up to 5 us with external resistor.
Технические параметры
| Fall Time | 80ns |
| Logic Type | CMOS |
| Output Current | -414.2 mA |
| Package Type | DSO-8 |
| Pin Count | 8 |
| Supply Voltage | 650V |
| Pd - рассеивание мощности | 0.625 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 100 ns |
| Время спада | 35 ns |
| Выходной ток | 230 mA, 650 mA |
| Другие названия товара № | 2ED2108S06F SP001710054 |
| Задержка распространения - макс. | 300 ns |
| Категория продукта | Драйверы для управления затвором |
| Количество выходов | 1 Output |
| Количество драйверов | 1 Driver |
| Конфигурация | Non-Inverting |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное время задержки включения | 300 ns |
| Максимальное время задержки выключения | 300 ns |
| Напряжение питания - макс. | 20 V |
| Напряжение питания - мин. | 10 V |
| Отключение | Shutdown |
| Подкатегория | PMIC - Power Management ICs |
| Продукт | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
| Рабочий ток источника питания | 450 uA |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Технология | Si |
| Тип | Half-Bridge |
| Тип логики | CMOS, LSTTL |
| Тип продукта | Gate Drivers |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | DSO-8 |
| Чувствительный к влажности | Yes |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1020 КБ
Datasheet 2ED2108S06FXUMA1
pdf, 1684 КБ
