Dual P-Channel MOSFET, 2.3 A, 30 V, 6-Pin TSOP-6 SI3993CDV-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
720 ֏
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 14 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 188 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TSOP-6 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
| Width | 1.7mm |
| Вес, г | 1 |
