IKP15N65F5XKSA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 070 ֏
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 153 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 18А, 52,5Вт, TO220-3, Серия: H5 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Energy Rating | 0.17mJ |
| Gate Capacitance | 930pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 105 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 15А |
| Power Dissipation | 105Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Вес, г | 1 |
