GT40WR21, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
86 шт., срок 8 недель
15 700 ֏
1 шт.
на сумму 15 700 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO3PN |
| Collector current | 40A |
| Collector-emitter voltage | 1.8kV |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate-emitter voltage | ±25V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 375W |
| Pulsed collector current | 80A |
| Turn-off time | 570ns |
| Turn-on time | 950ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet GT40WR21
pdf, 381 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
