NCP81080DR2G, IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 780 ֏
от 5 шт. —
1 380 ֏
от 25 шт. —
1 080 ֏
от 100 шт. —
900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 780 ֏
Описание
Semiconductors\Integrated circuits\Analog and mixed integrated circuits\MOSFET/IGBT drivers
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Impulse rise time | 19ns |
| Kind of integrated circuit | gate driver, high-side |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | SMD |
| Operating temperature | -40…140°C |
| Output current | -800…500mA |
| Pulse fall time | 17ns |
| Topology | MOSFET half-bridge |
| Type of integrated circuit | driver |
| Вес, г | 0.12 |
