IRF740ASPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 6,3А, 125Вт, D2PAK
![Фото 1/5 IRF740ASPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 6,3А, 125Вт, D2PAK](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842070.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395420.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/240/DOC012240770.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/863/DOC024863250.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/454/DOC022454508.jpg)
1 470 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 470 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 6,3А, 125Вт, D2PAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Крутизна характеристики S,А/В | 4.9 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 550 |
Температура, С | -55…+150 |
Brand | Vishay Semiconductors |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 22 ns |
Forward Transconductance - Min | 4.9 S |
Height | 4.83 mm |
Id - Continuous Drain Current | 10 A |
Length | 10.67 mm |
Manufacturer | Vishay |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-263AB-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 3.1 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms |
Rise Time | 35 ns |
RoHS | Details |
Series | IRF/SIHF740Ax |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
Unit Weight | 0.050717 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 9.65 mm |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
Емкость, пФ | 1030 |
Заряд затвора, нКл | 36 |
Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30 В |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 400 |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 10 |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 550 |
Мощность | рассеиваемая(Pd)-125 Вт |
Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4 В |
Описание | MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
Тип | MOSFET |
Тип проводимости | N |
Ток утечки | непрерывный(Id)-10 А |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*50/1000 |
Упаковка | TUBE, 50 шт. |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Вес, г | 1.49 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 232 КБ
Документация
pdf, 209 КБ