IKW40T120, Транзистор БТИЗ, 1200В 75A PG-TO247-3
![Фото 1/7 IKW40T120, Транзистор БТИЗ, 1200В 75A PG-TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758132.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436260.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/539/DOC007539399.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/912/DOC012912220.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/404/DOC022404736.jpg)
7 500 ֏
от 10 шт. —
6 000 ֏
от 30 шт. —
5 400 ֏
от 90 шт. —
3 690 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 500 ֏
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 270 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 20.95 mm |
Длина | 15.9 mm |
Другие названия товара № | IKW40T120FKSA1 IKW4T12XK SP000013940 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | TRENCHSTOP IGBT |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Ширина | 5.3 mm |
Base Product Number | IKW40T120 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 75A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 203nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | NPT, Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power - Max | 270W |
REACH Status | REACH Unaffected |
Reverse Recovery Time (trr) | 240ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | TrenchStopВ® -> |
Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
Switching Energy | 6.5mJ |
Td (on/off) @ 25В°C | 48ns/480ns |
Test Condition | 600V, 40A, 15Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current At 25 C | 75 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 600 nA |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IKW40T120FKSA1 IKW4T12XK SP000013940 |
Pd - Power Dissipation | 270 W |
Product Category | IGBT Transistors |
Product Type | IGBT Transistors |
Subcategory | IGBTs |
Technology | Si |
Tradename | TRENCHSTOP |
Continuous Collector Current Ic Max | 40 A |
RoHS | Details |
Case | PG-TO247-3 |
Collector current | 40A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Mounting | THT |
Power dissipation | 270W |
Pulsed collector current | 105A |
Semiconductor structure | single transistor |
Turn-off time | 700ns |
Turn-on time | 92ns |
Type of transistor | IGBT |
Channel Type | N |
Collector Current (DC) | 75(A) |
Collector Current (DC) (Max) | 75 A |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
Operating Temperature (Max) | 150C |
Operating Temperature (Min) | -40C |
Operating Temperature Classification | Automotive |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3+Tab |
Rad Hardened | No |
Вес, г | 7.94 |