IKW50N60T, Транзистор БТИЗ, биполярный, 600В, 80А, 333Вт, PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 230 ֏
от 10 шт. —
3 380 ֏
от 30 шт. —
2 500 ֏
от 90 шт. —
2 240 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 230 ֏
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IKW50N60T от производителя INFINEON представляет собой мощный IGBT компонент, выполненный в корпусе PG-TO247-3 для монтажа типа THT. Он способен выдерживать ток коллектора до 80А и напряжение коллектор-эмиттер до 600В, обладая при этом мощностью в 333Вт. Эта характеристика делает его идеальным выбором для широкого спектра областей применения, где требуется высокая надежность и эффективность. Код товара IKW50N60T подчеркивает его уникальность и гарантирует соответствие высоким стандартам качества INFINEON. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 80 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
| Мощность, Вт | 333 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IKW5N6TXK SP000054888 IKW50N60TFKSA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 333 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | Trenchstop IGBT3 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Вес, г | 6.21 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 593 КБ
