IKP40N65H5XKSA1, Транзистор БТИЗ 1200В 30A 110Вт TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 480 ֏
1 шт.
на сумму 3 480 ֏
Описание
Transistors/Thyristors\IGBTs
The Infineon 650v fifth generation duopack insulated-gate bipolar transistor and diode of high speed switching series in trenchstop technology.
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 74A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 62ns |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V, 40A |
| Power Dissipation (Pd) | 255W |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 95nC |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 22ns |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 74 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
| Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Package Type | PG-TO220-3 |
| Pin Count | 3 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 250 |
| Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В | 650 |
| Тип | IGBT транзистор |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*40*40/150 |
| Упаковка | 50 |
| Вес, г | 3.15 |
Техническая документация
Datasheet IKP40N65H5XKSA1
pdf, 2560 КБ
