FZT949TA, Транзистор биполярный, стандартный, SOT223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
840 ֏
от 10 шт. —
530 ֏
от 30 шт. —
414 ֏
от 100 шт. —
348 ֏
1 шт.
на сумму 840 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP HighCt Low Sat
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 3 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm |
Длина | 6.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 440 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 5.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FZT949 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm |
Base Product Number | FZT949 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 5.5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 100MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 3W |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 440mV @ 500mA, 5.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
Maximum DC Collector Current | 5.5 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 3 W |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223 |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FZT949TA
pdf, 453 КБ
Datasheet FZT949TA
pdf, 220 КБ
Datasheet FZT949TA
pdf, 446 КБ