CSD16342Q5A, Транзистор МОП n-канальный, 100А, 3Вт, TDFN8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
от 30 шт. —
414 ֏
1 шт.
на сумму 750 ֏
Описание
МОП-транзистор N-Channel NexFET Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Qg - заряд затвора | 6.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 6 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | CSD16342Q5A |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | VSONP-8 |
| Ширина | 4.9 mm |
| Вес, г | 0.12 |
Техническая документация
Datasheet CSD16342Q5A
pdf, 2229 КБ
