FF200R12KS4, Транзистор БТИЗ, 1,2кВ, 200А, 1,4кВт, AG-62мм-1
![FF200R12KS4, Транзистор БТИЗ, 1,2кВ, 200А, 1,4кВт, AG-62мм-1](https://static.chipdip.ru/lib/727/DOC002727312.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 93 200 ֏
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.2 V |
Configuration: | Dual |
Continuous Collector Current at 25 C: | 275 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +125 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Chassis Mount |
Package / Case: | 62 mm |
Packaging: | Tray |
Part # Aliases: | SP000100707 FF200R12KS4HOSA1 |
Pd - Power Dissipation: | 1400 W |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Series: | IGBT2 Fast |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 335 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 830 КБ
Infineon-FF200R12KS4-DS-v03_04-en_de
pdf, 630 КБ