IXFP10N60P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 10А, 200Вт, TO220-3, 120нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 160 ֏
от 10 шт. —
2 180 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 160 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 10А, 200Вт, TO220-3, 120нс Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Drain current | 10A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate charge | 32nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.74Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 200W |
| Reverse recovery time | 120ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 236 КБ
