IXTP3N120, Транзистор N-МОП, полевой, 1200В 3A 200Вт 4,5Ом TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 800 ֏
от 10 шт. —
4 540 ֏
от 50 шт. —
3 970 ֏
от 100 шт. —
3 350 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 800 ֏
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 1200В 3A 200Вт 4,5Ом TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5Ω@10V, 1.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.35nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 200W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 42nC@10V |
| Type | N Channel |
| Case | TO220AB |
| Drain current | 3A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 42nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 4.5Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 200W |
| Reverse recovery time | 700ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 175 КБ
