IKP15N60T, Транзистор БТИЗ, биполярный, 600В, 15А, 130Вт, PG-TO220-3
![Фото 1/2 IKP15N60T, Транзистор БТИЗ, биполярный, 600В, 15А, 130Вт, PG-TO220-3](https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC043752586.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/162/DOC037162224.jpg)
2 180 ֏
от 10 шт. —
1 470 ֏
от 50 шт. —
1 230 ֏
от 100 шт. —
1 030 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 180 ֏
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IKP15N60T производства INFINEON – это высокопроизводительный IGBT транзистор, предназначенный для монтажа в отверстия на печатной плате (THT). Он выделяется своей способностью управлять током коллектора до 15 А и поддерживать напряжение коллектор-эмиттер на уровне 600 В, обеспечивая при этом мощность до 130 Вт. Компактный корпус PG-TO220-3 гарантирует удобство установки в различных электронных устройствах. Используйте IKP15N60T для надежного управления мощностью в промышленных и бытовых применениях. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 15 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
Мощность, Вт | 130 |
Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
Case | TO220-3 |
Collector current | 15A |
Collector-emitter voltage | 600V |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate charge | 87nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Mounting | THT |
Power dissipation | 130W |
Pulsed collector current | 45A |
Semiconductor structure | single transistor |
Technology | TRENCHSTOP™ |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 2.03 |
Техническая документация
Datasheet IKP15N60TXKSA1
pdf, 510 КБ
Infineon Technologies IKP15N60T
pdf, 512 КБ