IKD06N60RFATMA1, 600В 12А 100Вт ТО251

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

660 ֏

от 10 шт. — 418 ֏

от 30 шт. — 366 ֏

от 100 шт. — 326 ֏

1 шт. на сумму 660 ֏

Номенклатурный номер: 8017541331

Описание 600В 12А 100Вт ТО251 Характеристики

Pd - рассеивание мощности	100 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	IKD06N60RF IKD6N6RFXT SP000939364
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	12 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	RC
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	TO-252-3
Channel Type	N
Configuration	Single
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	6.5 A
Maximum Gate Emitter Voltage	20V
Maximum Power Dissipation	53.6 W
Number of Transistors	1
Package Type	PG-TO252
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	0.426