CSD16570Q5BT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 25В, 100А, 195Вт, VSON-CLIP8 5x6мм
![CSD16570Q5BT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 25В, 100А, 195Вт, VSON-CLIP8 5x6мм](https://static.chipdip.ru/lib/589/DOC018589025.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 470 ֏
от 10 шт. —
1 810 ֏
1 шт.
на сумму 2 470 ֏
Описание
Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Технические параметры
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
Fall Time: | 72 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | VSON-CLIP-8 |
Pd - Power Dissipation: | 195 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 192 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 680 uOhms |
Rise Time: | 43 ns |
Series: | CSD16570Q5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | NexFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 156 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 472 КБ