BC848CW-7-F, Транзистор: NPN, биполярный, 30В, 0,1А, 200мВт, SOT323
![Фото 1/2 BC848CW-7-F, Транзистор: NPN, биполярный, 30В, 0,1А, 200мВт, SOT323](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757521.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/530/DOC006530038.jpg)
97 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 970 ֏
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 30В, 0,1А, 200мВт, SOT323 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 at 2 mA, 5 V |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BC848C |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.35 mm |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.02 |