BCX53TA, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1А, 1Вт, SOT89
![Фото 1/3 BCX53TA, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1А, 1Вт, SOT89](https://static.chipdip.ru/lib/745/DOC043745055.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/849/DOC004849072.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/519/DOC006519976.jpg)
146 ֏
от 10 шт. —
97 ֏
от 30 шт. —
62 ֏
от 100 шт. —
43 ֏
1 шт.
на сумму 146 ֏
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1А, 1Вт, SOT89 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.5 mm |
Длина | 4.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 500 mA, 2 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 25 at 5 mA at 2 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | BCX53 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Ширина | 2.5 mm |
Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 310 КБ