DSS5540X-13, Транзистор PNP, биполярный, 40В, 4А, 900мВт, SOT89
![Фото 1/2 DSS5540X-13, Транзистор PNP, биполярный, 40В, 4А, 900мВт, SOT89](https://static.chipdip.ru/lib/745/DOC043745055.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/067/DOC013067804.jpg)
260 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
181 ֏
от 150 шт. —
163 ֏
от 500 шт. —
143 ֏
5 шт.
на сумму 1 300 ֏
Описание
Описание Транзистор PNP, биполярный, 40В, 4А, 900мВт, SOT89 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 165 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | -4 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 250 at-500 mA, -2 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gain Bandwidth Product fT: | 60 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 4 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-89-3 |
Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | DSS55 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 459 КБ