IXFH12N90P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 12А, 380Вт, TO247-3

Фото 1/2 IXFH12N90P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 12А, 380Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 800 ֏
от 10 шт.4 580 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 800 ֏
Номенклатурный номер: 8017544661
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 12А, 380Вт, TO247-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 12 A
Pd - рассеивание мощности 380 W
Qg - заряд затвора 56 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 900 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 900 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 6.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 34 ns
Время спада 68 ns
Высота 21.46 mm
Длина 16.26 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HyperFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 8.2 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXFH12N90
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 50 ns
Типичное время задержки при включении 32 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.3 mm
Вес, г 9.06

Техническая документация

Datasheet IXFH12N90P
pdf, 177 КБ