IXFK32N100P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 32А, 960Вт, TO264
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 300 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 32А, 960Вт, TO264 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 32A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 320mΩ@16A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 1kV |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 6.5V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 14.2nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 960W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 225nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 9.73 |
Техническая документация
Littelfuse/IXYS IXFK32N100P
pdf, 121 КБ
