MMBTA42-7-F, Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 0,5А; 300мВт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
31 ֏
20 шт.
на сумму 1 060 ֏
Описание
Описание Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 0,5А; 300мВт; SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Brand | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO | 300 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 300 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 0.5 A |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 40 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product FT | 50 MHz |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current | 0.5 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 300 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | MMBTA42 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Maximum Collector Base Voltage | 300 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 300 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Minimum DC Current Gain | 40 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.04 |