MMBTA42-7-F, Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 0,5А; 300мВт; SOT23

Фото 1/5 MMBTA42-7-F, Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 0,5А; 300мВт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
53 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.31 ֏
20 шт. на сумму 1 060 ֏
Номенклатурный номер: 8017545561
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 0,5А; 300мВт; SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Brand Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO 300 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.5 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 40
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 3000
Gain Bandwidth Product FT 50 MHz
Manufacturer Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current 0.5 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Packaging Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation 300 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series MMBTA42
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Maximum Collector Base Voltage 300 V
Maximum Collector Emitter Voltage 300 V
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum DC Current Gain 40
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 282 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 100 КБ