DNBT8105-7, Транзистор: NPN; биполярный
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
66 ֏
от 150 шт. —
49 ֏
от 500 шт. —
41 ֏
5 шт.
на сумму 485 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 1A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 2 A, 5 V |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DNBT8 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Base Product Number | DNBT8105 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 600mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 500 mV |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 30 at 2 A, 5 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 150 MHz |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | DNBT8 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Power Dissipation | 600 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Case | SOT23 |
| Collector current | 1A |
| Collector-emitter voltage | 60V |
| Current gain | 100…300 |
| Frequency | 150MHz |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | bipolar |
| Power dissipation | 0.6W |
| Type of transistor | NPN |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 86 КБ
Datasheet DNBT8105-7
pdf, 85 КБ
Datasheet DNBT8105-7
pdf, 85 КБ
